長庚大學磊晶實驗室 產學研肯定

以「磊晶研究論證、共創產學雙贏」為主軸，長庚大學電子系副教授林瑞明，於2005年建置「長庚大學化合物半導體磊晶實驗室」，開發「常壓有機金屬氣相磊晶（APMOCVD）氮化合物技術平台。該實驗室在氮化合物的發展與成果，受到產、學、研各界的肯定與技術合作。在實驗室的建置規模及氮化合物磊晶技術的發展上，是國內各大學中在常壓氮化合物磊晶開發的領頭羊之一。

該技術平台主要開發氮化合物高效率、高功率發光二極體以及高功率高速元件，計發表國際期刊論文65篇。近來研究「高驅動電流下LED光效下降」（Efficiency Droop）」，經由磊晶實驗論證，能有效的使藍光發光二極體操作在1安培的電流下，Efficiency Droop只下降7％，此研究成果已發表在國際知名期刊。2010年至今，藍光二極體在高驅動電流下光效下降機制的研究成果，相繼被國際專業雜誌Compound Semiconductor報導3次及Semiconductor Today報導2次。

林瑞明表示，實驗室擁有兩套日本大陽日酸MOCVD及化合物半導體量測實驗室（含光電量測主要設備）。可培育氮化合物磊晶、製程與量測人才。

未來將持續致力於氮化合物磊晶創新技術開發，包括發展發展圖形化基底（PSS）技術、高效率綠光、研究LED內量子效率「Droop」的機制，結合產業界的資源共同努力。