美科學家著手為半導體製造開發環保化學品

美國半導體研發機構Semiconductor Research Corp. (SRC)正在與加州大學洛杉磯分校(UCLA)的工程研究中心(ERC)合作，為半導體製造應用開發講究環保的綠色化學品。

新研發工作將取代在實驗室裡重複試製化學品的模式，製作出可替代全碳化氟(perfluorocarbon，PFC)等溫室氣體的化學品模型；ERC期望能藉由這種模式更快開發出對環境更友善的半導體製程用化學品。「我們預期能在幾個月而非幾年的時間內，就能定義出環保蝕刻化學品的條件，有助於簡化產業技術藍圖。」該研究專案的主持人Jane Chang表示。

研究人員將以下一代記憶體、邏輯元件所採用的創新製程技術，包括採用矽穿孔(TSV)模式的3D架構，來模擬環保電漿化學品的原子層蝕刻(atomic-level etching，ALE)性能。ALE類似於更常見的原子層沉積(atomic-layer deposition)技術，是化學氣相沉積(CVD)與電漿蝕刻的替代製程，特別是針對先進的3D架構元件。

SRC的目標是快速定義出性能與目前使用的PFC化學品相當，甚至超越前者的環保原子蝕刻化學物質，以降低對環境的風險。